CSD13306W_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD13306W的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD13306W的产品详情：

这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

CSD13306W的优势和特性：

超低导通电阻
低 Qg 和 Qgd
1mm x 1.5mm 小尺寸封装
低高度（高度为 0.62mm）
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素

应用范围

电池管理
负载开关
电池保护

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CSD13306W的参数（英文）：

VDS (V)
12
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
10.2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
44
QG typ (nC)
8.6
QGD typ (nC)
3
QGS typ (nC)
1.1
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
VGS (V)
10
VGSTH typ (V)
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.5
ID - package limited (A)
3.5
Logic level
Yes

CSD13306W具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD13306W的完整型号有：CSD13306W、CSD13306WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13306W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13306W的批量USD价格：.117（1000+）

CSD13306WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13306WT的批量USD价格：.317（1000+）

CSD13306W的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-010043 适用于 SpO2 和其他医疗应用的高效、高电流、线性 LED 驱动器参考设计

This reference design provides a protected, efficient (headroom-controlled), high-current (up to 1.5 A), linear (accurate and fast) light-emitting diode (LED) driver reference design to enable peripheral capillary oxygen saturation (SpO2) and other medical applications. A typical SpO2 application (...)

CSD13306W的电路图解：

CSD13306W的评估套件：