该 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
  • 1.0mm × 0.6mm
• 超薄型封装
  • 厚度为 0.2mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 128
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 18
• QG typ (nC)
• 0.92
• QGD typ (nC)
• 0.075
• QGS typ (nC)
• 0.28
• Package (mm)
• LGA 1.0x0.6mm
• VGS (V)
• 12
• VGSTH typ (V)
• 0.85
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 3
• ID - package limited (A)
• 3
• Logic level
• Yes

CSD17484F4的完整型号有：CSD17484F4、CSD17484F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17484F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJJ)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17484F4的批量USD价格：.056（1000+）

CSD17484F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJJ)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17484F4T的批量USD价格：.256（1000+）

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。