CSD19505KTT_TI 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD19505KTT的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
点击这里打开及下载CSD19505KTT的技术文档资料
TI代理渠道，提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格

CSD19505KTT的产品详情：

这款 80V、2.6mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

CSD19505KTT的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
D2PAK 塑料封装

应用

次级侧同步整流器
电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

CSD19505KTT的参数（英文）：

VDS (V)
80
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
3.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
76
QGD typ (nC)
11
QGS typ (nC)
25
Package (mm)
D2PAK
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
2.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
212
ID - package limited (A)
200
Logic level
No

CSD19505KTT具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD19505KTT的完整型号有：CSD19505KTT、CSD19505KTTT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD19505KTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19505KTT的批量USD价格：1.289（1000+）

CSD19505KTTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19505KTTT的批量USD价格：1.483（1000+）

CSD19505KTT的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

CSD19505KTT的电路图解：

CSD19505KTT的评估套件：