CSD19506KTT_TI 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD19506KTT的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD19506KTT的产品详情：

这款 80V、2.0mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

CSD19506KTT的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
D2PAK 塑料封装

应用

次级侧同步整流器
电机控制

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CSD19506KTT的参数（英文）：

VDS (V)
80
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
2.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
120
QGD typ (nC)
20
QGS typ (nC)
37
Package (mm)
D2PAK
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
2.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
291
ID - package limited (A)
200
Logic level
No

CSD19506KTT具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD19506KTT的完整型号有：CSD19506KTT、CSD19506KTTT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD19506KTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19506KTT的批量USD价格：1.916（1000+）

CSD19506KTTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19506KTTT的批量USD价格：2.235（1000+）

CSD19506KTT的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

CSD19506KTT的电路图解：

CSD19506KTT的评估套件：