
CSD19533Q5A的基本参数
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD19533Q5A的产品详情:
这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%
CSD19533Q5A的优势和特性:
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 初级侧电信应用
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
CSD19533Q5A的参数(英文):
- VDS (V)
- 100
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 9.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 231
- QG typ (nC)
- 27
- QGD typ (nC)
- 4.9
- QGS typ (nC)
- 7.9
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 2.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 75
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- No
CSD19533Q5A具体的完整产品型号参数及价格(美元):
CSD19533Q5A的完整型号有:CSD19533Q5A、CSD19533Q5AT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD19533Q5A,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD19533Q5A的批量USD价格:.475(1000+)
CSD19533Q5AT,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD19533Q5AT的批量USD价格:.54(1000+)

CSD19533Q5A的评估套件:
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器CSD19533Q5A的电路图解:


CSD19533Q5A的评估套件:
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- LM3489MMX/NOPB
- SN74LV14ADR
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- LM3671LCX-1.8/NOPB
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