CSD25202W15_TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25202W15的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
点击这里打开及下载CSD25202W15的技术文档资料
TI代理渠道，提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格

CSD25202W15的产品详情：

这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

CSD25202W15的优势和特性：

低电阻
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅 - 源电压钳位

应用范围

电池管理
电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

CSD25202W15的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
26
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
32
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
52
Id peak (Max) (A)
-38
Id max cont (A)
-4
QG typ (nC)
5.8
QGD typ (nC)
0.8
QGS typ (nC)
1.1
VGSTH typ (V)
-0.75
Package (mm)
WLP 1.5x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
4
Logic level
Yes

CSD25202W15具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25202W15的完整型号有：CSD25202W15、CSD25202W15T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25202W15，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15的批量USD价格：.168（1000+）

CSD25202W15T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15T的批量USD价格：.368（1000+）

CSD25202W15的评估套件：

CSD25202W15的电路图解：

CSD25202W15的评估套件：