CSD25213W10_TI 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25213W10的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25213W10的产品详情：

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图在 1 in²2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，R_θJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。

CSD25213W10的优势和特性：

超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
小尺寸封装 1mm x 1mm
低高度（高度为 0.62mm）
无铅
栅 - 源电压钳位
栅极静电放电 (ESD) 保护
符合 RoHS 环保标准
无卤素

CSD25213W10的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
47
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
67
Id peak (Max) (A)
-16
Id max cont (A)
-1.6
QG typ (nC)
2.2
QGD typ (nC)
0.14
QGS typ (nC)
0.74
VGSTH typ (V)
-0.85
Package (mm)
WLP 1.0x1.0
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
1.6
Logic level
Yes

CSD25213W10具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25213W10的完整型号有：CSD25213W10，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25213W10，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25213W10的批量USD价格：.077（1000+）

CSD25213W10的评估套件：

CSD25213W10的电路图解：

CSD25213W10的评估套件：