CSD25485F5的基本参数
- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25485F5的产品详情：
该 29.7mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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CSD25485F5的优势和特性：
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD25485F5的参数（英文）：
- VDS (V)
- -20
- VGS (V)
- -12
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 42
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
- 70
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
- 250
- Id peak (Max) (A)
- -31
- Id max cont (A)
- -5.3
- QG typ (nC)
- 2.7
- QGD typ (nC)
- 0.56
- QGS typ (nC)
- 0.67
- VGSTH typ (V)
- -0.95
- Package (mm)
- LGA 1.5x0.8mm
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 3.2
- Logic level
- Yes
CSD25485F5具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD25485F5的完整型号有：CSD25485F5、CSD25485F5T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD25485F5，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25485F5的批量USD价格：0.087（1000+）
CSD25485F5T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25485F5T的批量USD价格：0.287（1000+）
CSD25485F5的评估套件：
CSD25485F5的电路图解：
CSD25485F5的评估套件：
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