CSD85302L的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD85302L的产品详情：
这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
CSD85302L的优势和特性：
- 共漏极配置
- 低导通电阻
- 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV
- USB Type-C/PD
- 电池管理
- 电池保护
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CSD85302L的参数（英文）：
- VDS (V)
- 20
- Configuration
- Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 24
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 37
- QG typ (nC)
- 6
- QGD typ (nC)
- 1.4
- QGS typ (nC)
- 1.2
- Package (mm)
- LGA 1.35x1.35mm
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 7
- ID - package limited (A)
- 7
- Logic level
- Yes
CSD85302L具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD85302L的完整型号有：CSD85302L、CSD85302LT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD85302L，工作温度：-55 to 150，封装： (YME)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD85302L的批量USD价格：.137（1000+）
CSD85302LT，工作温度：-55 to 150，封装： (YME)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD85302LT的批量USD价格：.337（1000+）
CSD85302L的评估套件：
CSD85302L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD85302L的电路图解：
CSD85302L的评估套件：
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