这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

• 共漏极配置
• 低导通电阻
• 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
• 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

应用

• USB Type-C/PD
• 电池管理
• 电池保护

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• VDS (V)
• 20
• Configuration
• Dual Common Drain
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 24
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 37
• QG typ (nC)
• 6
• QGD typ (nC)
• 1.4
• QGS typ (nC)
• 1.2
• Package (mm)
• LGA 1.35x1.35mm
• VGS (V)
• 10
• VGSTH typ (V)
• 0.9
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 7
• ID - package limited (A)
• 7
• Logic level
• Yes

CSD85302L的完整型号有：CSD85302L、CSD85302LT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD85302L，工作温度：-55 to 150，封装： (YME)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD85302L的批量USD价格：.137（1000+）

CSD85302LT，工作温度：-55 to 150，封装： (YME)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD85302LT的批量USD价格：.337（1000+）

CSD85302L Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

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