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CSD86330Q3D的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - 电源块
  • 功能描述:采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD86330Q3D的产品详情:

The CSD86330Q3D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high current, high efficiency, and high frequency capability in a small 3.3 mm × 3.3 mm outline. Optimized for 5 V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5 V gate drive from an external controller/driver.

CSD86330Q3D的优势和特性:
  • Half-Bridge Power Block
  • 90% System Efficiency at 15 A
  • Up to 20 A Operation
  • High Frequency Operation (Up To 1.5 MHz)
  • High Density SON 3.3 mm × 3.3 mm Footprint
  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Low Switching Losses
  • Ultra Low Inductance Package
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Pb-Free Terminal Plating
  • APPLICATIONS
    • Synchronous Buck Converters
      • High Frequency Applications
      • High Current, Low Duty Cycle Applications
    • Multiphase Synchronous Buck Converters
    • POL DC-DC Converters
    • IMVP, VRM, and VRD Applications

CSD86330Q3D的参数(英文):
  • VGS (V)
  • 10
  • VDS (V)
  • 25
  • Power loss (W)
  • 1.9
  • Ploss current (A)
  • 15
  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
  • 20
  • Operating temperature range (C)
  • -55 to 150
  • Features
  • Power supply
  • Duty cycle (%)
  • Low
CSD86330Q3D具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD86330Q3D的完整型号有:CSD86330Q3D,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD86330Q3D,工作温度:-55 to 150,封装: (DQZ)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD86330Q3D的批量USD价格:.716(1000+)

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CSD86330Q3D的评估套件:

CSD86330EVM-717 用于 CSD86330Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对的评估模块

CSD86330EVM-717 评估模块 (EVM) 使用 CSD86330。CSD86330 电源块是用于同步降压应用的优化设计,提供高电流、高效、高频功能,采用小型 3.3mm x 3.3mm 封装。CSD86330EVM-717 还使用 TPS53219 作为小巧的单相降压控制器,具有自适应接通时间 D-CAP 模式控制。EVM 在高达 10A 的电流下提供 1.2V 固定输出电压,由 12V 输入总线供电。CSD86330EVM-717 设计成使用 12V 稳压总线在高达 10A 的负载电流下产生 1.2V 的稳压输出。CSD86330EVM-717 旨在演示 CSD86330 (...)

TPS40322EVM-679 TPS40322 双路输出或二相同步降压控制器的评估模块

TPS40322EVM-679 评估模块 (EVM) 是一块完全组装且经过测试的电路,用于评估 TPS40322 双路输出或二相同步降压控制器。EVM 设计成使用 8Vdc 至 15Vdc 稳压总线来产生两个高电流稳压输出,一个为 1.2Vdc,另一个为 1.8Vdc。两个输出都能输出高达 10A 的负载电流。EVM 同时还具有 CSD86330Q3D 同步降压 NexFET 电源块。TPS40322EVM-679 旨在演示典型双路输出应用中的 TPS40322,同时还具有以下描述的特性:

CSD86330Q3D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

此设计是针对 12V 输入电压的双降压设计,提供 5.0V @ 7.0A 和 3.3V @ 4.0A。TI 的 CSD86330Q3D 电源块即使在高开关频率下仍能实现高效率。

PMP9463 用于 Xilinx Ultrascale™ Kintex® FPGA 多路千兆位收发器 (MGT) 的电源解决方案

PMP9463 参考设计提供为 Xilinx Ultrascale Kintex FPGA 中的千兆位收发器 (MGT) 供电时所需的所有电源轨。 它利用一个 PMBus 接口来实现电流和电压监控,并满足了 Xilinx 低输出电压纹波的需求。 此设计使用 5V 输入并可提供低成本分立解决方案。

PMP5471 用于服务器插件卡 ASIC 内核电源的 10A 降压转换器

用于服务器附加卡 ASIC 内核电压调节的 9V-12.6V 输入、12W、90% 效率降压转换器,在 264mm2 总电源面积内采用 TPS53219 PWM 控制器和 CSD86339Q3D 3x3 电源块。
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