
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - 电源块
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
- 点击这里打开及下载CSD86350Q5D的技术文档资料
- TI代理渠道,提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格

The CSD86350Q5D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high-current, high-efficiency, and high-frequency capability in a small 5-mm × 6-mm outline. Optimized for 5-V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high-density power supply when paired with any 5-V gate drive from an external controller/driver.
- Half-Bridge Power Block
- 90% System Efficiency at 25 A
- Up to 40-A Operation
- High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz)
- High-Density SON 5-mm × 6-mm Footprint
- Optimized for 5-V Gate Drive
- Low-Switching Losses
- Ultra-Low Inductance Package
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- Lead-Free Terminal Plating
- APPLICATIONS
- Synchronous Buck Converters
- High-Frequency Applications
- High-Current, Low-Duty Cycle Applications
- Multiphase Synchronous Buck Converters
- POL DC-DC Converters
- IMVP, VRM, and VRD Applications
- Synchronous Buck Converters
All other trademarks are the property of their respective owners
- VGS (V)
- 10
- VDS (V)
- 25
- Power loss (W)
- 2.8
- Ploss current (A)
- 25
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
- 40
- Operating temperature range (C)
- -55 to 150
- Features
- Power supply
- Duty cycle (%)
- Low
CSD86350Q5D的完整型号有:CSD86350Q5D、CSD86350Q5DT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD86350Q5D,工作温度:-55 to 150,封装: (DQY)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD86350Q5D的批量USD价格:.932(1000+)
CSD86350Q5DT,工作温度:-55 to 150,封装: (DQY)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD86350Q5DT的批量USD价格:1.118(1000+)

CSD86350Q5DEVM-604 使用 NexFET™ 电源块和 TPS51218 的高密度大电流电源解决方案
CSD86350Q5DEVM-604 评估模块 (EVM) 是同步降压转换器,采用 TI 的 NexFET 电源块技术以提供大电流、超高密度电源解决方案。该 EVM 输入总线的额定电压为 12V,在 25A 时提供 1.2V 输出,效率超过 92%。该 EVM 设计为利用单电源工作,因此无需额外偏置电压。该 EVM 采用 TPS51218 高性能、中等输入电压、同步降压控制器和 TI 的 NexFET 电源块来优化整个解决方案的效率和功率密度。TPS53219EVM-690 TPS53219EVM-690 宽输入电压 Eco-mode™,单路同步降压控制器
TPS53219EVM-690 评估模块 (EVM) 使用TPS53219。TPS53219 是自适应接通时间 D-CAP 模式控制的外形小巧的单相降压控制器。可在高达 25A 的电流下提供 1.1V 固定输出电压,并由 12V 输入总线供电。TPS53219EVM-690 还使用 5mm x 6mm TI 电源块 MOSFET (CSD86350Q5D),以实现高功率密度和出色的热性能。TPS53219EVM-690 设计成使用 12V 稳压总线在高达 25A 的负载电流下产生 1.1V 的稳压输出。TPS53219EVM-690 旨在演示 TPS53219 (...)
CSD86350Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. A)
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。


- PGA2320
- DAC63002
- DDC316
- CD54HCT138
- TRS207
- DS90UA101-Q1
- LMK01000
- SN65HVD1786
- LM5134
- SN74AS241A
- ADC12DL065
- TLV5639
- PGA205
- PTH12050Y
- LDC1612-Q1
- LMK05318
- DS90C187
- TMS320DM365
- SN74LVC1G86-EP
- ADS5292
- LM3S316-IGZ25-C2T
- TAS5708PHPR
- PCA9306DCUT
- PT5802A
- TPS564252DRLR
- TPS2110PWG4
- DCPA10512DP
- PTH12000WAD
- LM3S9D96-IQC80-A1
- SN65HVD22D
- ISO7721BDW
- DAC7734EBG4
- SN74ABT16244ADLG4
- S5LS20206ASZWTQQ1
- V62/05614-01XE
- TPS6521501WRHBRQ1
- ISOW1432DFMEVM
- SN65HVS882PWPRG4
- PT6719C
- TPS3840PL25DBVRQ1

