CSD87331Q3D_TI 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块

CSD87331Q3D的基本参数

制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - 电源块
功能描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD87331Q3D的产品详情：

CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压应用的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。

CSD87331Q3D的优势和特性：

半桥电源块
VIN 高达 27V
高达 15A 的运行电流
10A 电流时系统效率为 91%
高频运行（高达 1.5MHz）
高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
针对 5V 栅极驱动进行了优化
开关损耗较低
超低电感封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无铅引脚镀层

CSD87331Q3D的参数（英文）：

VGS (V)
10
VDS (V)
30
Power loss (W)
1.3
Ploss current (A)
10
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
15
Operating temperature range (C)
-55 to 150
Features
Power supply
Duty cycle (%)
Low

CSD87331Q3D具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD87331Q3D的完整型号有：CSD87331Q3D，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD87331Q3D，工作温度：-55 to 150，封装： (DQZ)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87331Q3D的批量USD价格：.4（1000+）

CSD87331Q3D的评估套件：

CSD87331Q3D Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

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CSD87331Q3D的电路图解：

CSD87331Q3D的评估套件：