此 CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。

• 半桥电源块
• 电流 25A 时，系统效率达到 90.5%
• 高达 30A 的工作电流
• 高密度 - 5mm × 3.5mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装
• 双侧冷却能力
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 低开关损耗
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 无铅

应用范围

• 同步降压转换器
  • 高频应用
  • 高电流、低占空比应用
• 多相位同步降压转换器
• 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

• VGS (V)
• 10
• VDS (V)
• 30
• Power loss (W)
• 3.7
• Ploss current (A)
• 25
• ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
• 30
• Operating temperature range (C)
• -55 to 150
• Features
• Power supply
• Duty cycle (%)
• Low

CSD87384M的完整型号有：CSD87384M、CSD87384MT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD87384M，工作温度：-55 to 150，封装： (MPB)-5，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87384M的批量USD价格：.586（1000+）

CSD87384MT，工作温度：-55 to 150，封装： (MPB)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD87384MT的批量USD价格：.703（1000+）

CSD87384MEVM-603 - 具有电源块 II CSD87384M 的同步降压转换器

CSD87384MEVM-603 将德州仪器 (TI) 的 NextFETTM 电源块 II CSD87384M 与控制器 TPS51219RTE 结合使用，形成一种同步降压转换器。CSD87384M NexFET™ 电源块 II 是一种适合同步降压应用的高度优化设计，其采用小外形 5.0mmx3.5mm 和超低高度（最大值 0.48mm），可提供高电流和高效率。此 EVM 可支持高达约 30W 的应用。

CSD87384M Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

PMP10770 整合了 TPS53219A 和 CSD87384M，二者是 TPS53355 30A 直流/直流转换器的绿色替代品，100% 不含铅。该设计适合 10V-14V 输入电压、1V 输出电压及 34A 电流，满载效率为 83%。