DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 B_OP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 B_RP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 B_OP 和 B_RP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 V_CC 工作，并采用小型 X2SON 封装。

• 行业领先的低功耗特性
• 可通过引脚选择的采样率：
  • SEL = 低电平：使用 1.3A (1.8V) 时为 20Hz
  • SEL = 高电平：使用 142A (1.8V) 时为 2.5kHz
• VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
• 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
• 可靠磁滞：4mT（典型值）
• 推挽式 CMOS 输出
• 小型纤薄 X2SON 封装
• 运行温度范围：40°C 至 +85°C

• Type
• Latch
• Supply voltage (Vcc) (Min) (V)
• 1.65
• Supply voltage (Vcc) (Max) (V)
• 5.5
• Operate point (Max) (mT)
• 3.3
• Release point (Min) (mT)
• -3.3
• Output
• Push-pull output driver
• Operating temperature range (C)
• -40 to 85

DRV5012的完整型号有：DRV5012AEDMRR、DRV5012AEDMRT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

DRV5012AEDMRR，工作温度：-40 to 85，封装：X2SON (DMR)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网DRV5012AEDMRR的批量USD价格：.132（1000+）

DRV5012AEDMRT，工作温度：-40 to 85，封装：X2SON (DMR)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网DRV5012AEDMRT的批量USD价格：.332（1000+）

DRV5011-5012EVM DRV5011 和 DRV5012 超低功耗、数字锁存器霍尔效应传感器评估模块

DRV5011-5012EVM 便于评估 DRV5012 和 DRV5011 霍尔效应传感器。DRV5012 是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。DRV5011 是超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。这些传感器在磁体逆转极性或磁场达到特定阈值而触发传感器逻辑时，会改变其输出状态。

HALL-ADAPTER-EVM Hall sensor breakout adapter evaluation module

借助 HALL-ADAPTER-EVM 加快您的开关、锁存器和线性霍尔传感器原型设计和测试，该 EVM 有助于快速轻松地连接小型 IC 并且价格低廉。您可以使用随附的 Samtec 端子板连接任何受支持的霍尔传感器，或者将这些端子板直接连接至现有电路。