
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 产品类别:传感器
- 技术类目:磁传感器 - 霍尔效应锁存器和开关
- 功能描述:汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压(高达 5.5V)霍尔效应锁存器
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DRV5015-Q1 是一款低电压数字锁存器霍尔效应传感器,专为高速和高温电机 应用。该器件由
2.5V 至 5.5V 的电源供电,可以检测磁通量密度并根据预定义的磁性阈值显示数字输出。
必须交换北极和南极磁极才能切换输出,集成的磁滞能够提供稳定可靠的切换。
该器件具有两个磁性阈值选项和一个反相输出选项。高磁性灵敏度可提供低成本磁体选择和组件放置灵活性。
该器件在 –40°C 至 +150°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。
- 适用于汽车 应用
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度等级 0:40°C 至 150°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 H3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 数字锁存器霍尔效应传感器
- 高磁性灵敏度:
- DRV5015A1-Q1:±0.7mT(典型值)
- DRV5015A2-Q1:±1.8mT(典型值)
- DRV5015A3-Q1:±1.8mT(反相,典型值)
- 集成迟滞
- 30kHz 高速感应带宽
- 2.5V 至 5.5V 工作 VCC 范围
- 开漏输出,输出电流高达 20mA
- Type
- Latch
- Supply voltage (Vcc) (Min) (V)
- 2.5
- Supply voltage (Vcc) (Max) (V)
- 5.5
- Operate point (Max) (mT)
- 2.9, 4.5
- Release point (Min) (mT)
- -2.9, -4.5
- Output
- Open drain
- Operating temperature range (C)
- -40 to 150
DRV5015-Q1的完整型号有:DRV5015A1EDBZRQ1、DRV5015A2EDBZRQ1、DRV5015A3EDBZRQ1,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
DRV5015A1EDBZRQ1,工作温度:-40 to 150,封装:SOT-23 (DBZ)-3,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网DRV5015A1EDBZRQ1的批量USD价格:.17(1000+)
DRV5015A2EDBZRQ1,工作温度:-40 to 150,封装:SOT-23 (DBZ)-3,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网DRV5015A2EDBZRQ1的批量USD价格:.17(1000+)
DRV5015A3EDBZRQ1,工作温度:-40 to 150,封装:SOT-23 (DBZ)-3,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网DRV5015A3EDBZRQ1的批量USD价格:.17(1000+)

HALL-ADAPTER-EVM Hall sensor breakout adapter evaluation module
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