ISO7831 是一款高性能三通道数字隔离器，隔离电压高达 8000 V_PK。 该器件已通过符合 VDE、CSA 和 CQC 标准的增强型隔离认证。 在隔离 CMOS 或者 LVCMOS 数字 I/O 时，该隔离器可提供高电磁抗扰度和低辐射，且具有低功耗特性。 每个隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅 (SiO₂) 绝缘隔栅分离开来。 该器件配有使能引脚，可用于将多个主驱动应用中的相应输出置于高阻态，也可用于降低功耗。 ISO7831 具有两个正向通道和一个反向通道。 如果出现输入功率或信号丢失，ISO7831 器件默认输出“高”电平，ISO7831F 器件默认输出“低”电平。 更多详细信息，请参见。 与隔离式电源一起使用时，此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地，以及干扰或损坏敏感电路。 凭借创新的芯片设计和布线技术，ISO7831 的电磁兼容性得到了显著增强，从而可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。 ISO7831 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 宽体 (DW) 封装。

• 信号传输速率：高达 100Mbps
• 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
• 2.25V 至 5.5V 电平转换
• 宽温度范围：55°C 至 125°C
• 低功耗，每通道电流典型值为 2.5mA（1Mbps 时）
• 低传播延迟：典型值 11ns（5V 电源供电时）
• 行业领先的 CMTI：±100kV/μs
• 优异的电磁兼容性 (EMC)
• 系统级静电放电 (ESD)、瞬态放电 (EFT) 以及抗浪涌保护
• 低辐射
• 隔离隔栅寿命：> 25 年
• 宽体小外形尺寸集成电路 (SOIC)-16 封装
• 安全及管理批准:
  • 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准
  • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
  • CSA 组件接受通知 5A，IEC 60950-1、IEC 60601-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
  • 通过 GB4943.1-2011 CQC 认证

应用范围

• 工业自动化
• 电机控制
• 电源
• 太阳能逆变器
• 医疗设备
• 混合动力电动汽车

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• Integrated isolated power
• No
• Number of channels (#)
• 3
• Forward/reverse channels
• 2 forward / 1 reverse
• Isolation rating (Vrms)
• 5700
• Data rate (Max) (Mbps)
• 100
• Rating
• Catalog
• Surge voltage capability (Vpk)
• 12800
• Current consumption per channel (DC) (Typ) (mA)
• 1.03
• Current consumption per channel (1 Mbps) (Typ) (mA)
• 1.67
• Operating temperature range (C)
• -55 to 125
• Default output
• High, Low
• Supply voltage (Max) (V)
• 5.5
• Supply voltage (Min) (V)
• 2.25
• Propagation delay (Typ) (ns)
• 10.7

ISO7831的完整型号有：ISO7831DW、ISO7831DWR、ISO7831DWW、ISO7831DWWR、ISO7831FDW、ISO7831FDWR、ISO7831FDWW、ISO7831FDWWR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

ISO7831DW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831DW的批量USD价格：3.402（1000+）

ISO7831DWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831DWR的批量USD价格：2.898（1000+）

ISO7831DWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831DWW的批量USD价格：4.536（1000+）

ISO7831DWWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：1000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831DWWR的批量USD价格：4.032（1000+）

ISO7831FDW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：40个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831FDW的批量USD价格：3.402（1000+）

ISO7831FDWR，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DW)-16，包装数量MPQ：2000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831FDWR的批量USD价格：2.898（1000+）

ISO7831FDWW，工作温度：-55 to 125，封装：SOIC (DWW)-16，包装数量MPQ：45个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网ISO7831FDWW的批量USD价格：4.536（1000+）

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DIGI-ISO-EVM Universal digital isolator evaluation module

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚 NB SOIC (D)、8 引脚 WB SOIC (DWV)、16 引脚 WB SOIC (DW)、16 引脚 Ultra WB SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

ISO7842-EVM 高抗干扰能力，5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离，以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道，并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时，此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能，支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

LMG3410-HB-EVM LMG3410R070 600V 70m GaN 半桥子卡

LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板，可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板（作为同步降压转换器）。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量，因为该板是开环板。仅需要单脉冲宽度调制输入，在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。LMG3410-HB-EVM (...)

ISO7831 IBIS Model (Rev. B)

交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸减小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率，此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

TIDM-02008 Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU

此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数，并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

PMP20873 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计

Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter. To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account. The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN power stage, (...)

PMP20637 具有 TI HV GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计

This reference design is a high efficiency, high power density and light weight resonant converter reference design. It converts a 390V input to a 48V/1kW output. The PMP20637 power stage has over 140W/in^3 power density. The whole board weight is less than 210g. With fixed 950kHz switching (...)