LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG352xR030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。

高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，这使系统能够以理想方式管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。

• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 温度等级 1：-40 °C 至 +125 °C，TJ
• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
• 带集成栅极驱动器的 650-V GaN-on-Si FET
  • 集成高精度栅极偏置电压
  • 200V/ns CMTI
  • 2.2MHz 开关频率
  • 30V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
  • 由 12V 非稳压电源供电
• 强大的保护
  • 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
  • 硬开关时可承受 720V 浪涌
  • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
• 高级电源管理
  • 数字温度 PWM 输出
  • 理想二极管模式可减少 LMG3525R030-Q1 中的第三象限损耗
• 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感

• VDS (Max) (V)
• 650
• RDS (on) (Milliohm)
• 30
• ID (Max) (A)
• 55
• Rating
• Automotive

LMG3522R030-Q1的完整型号有：XMG3522R030QRQSTQ1，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

XMG3522R030QRQSTQ1，工作温度：-40 to 150，封装： (RQS)-52，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：-，引脚镀层/焊球材料：-，TI官网XMG3522R030QRQSTQ1的批量USD价格：9.87（1000+）

LMG342X-BB-EVM 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板

LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 12A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

LMG3522EVM-042 LMG3522R030-Q1 具有集成驱动器子卡的汽车类 650V 30m GaN FET

LMG3522EVM-042 在半桥中配置两个 LMG3522R030 GaN FET，具有逐周期过流保护、短路锁存保护功能和所有必要的辅助外围电路。该 EVM 旨在与大型系统配合使用。

PSPICE-FOR-TI 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice

PSpice for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

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GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet (Rev. B)

此参考设计是一款基于 GaN 的 3.6kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器，旨在实现更高的功率密度。此功率级之后是一个小型升压转换器，这有助于缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 功率级顶部冷却封装，具有集成驱动器和保护功能，可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000 控制器可用于所有高级控制，包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 65kHz 的开关频率下运行，可实现 98.7% 的峰值效率。

TIDM-02013 采用 C2000 MCU 且具有 CCM 图腾柱 PFC 和 CLLLC 直流/直流转换器的 7.4kW 车载充电器参考设计

TIDM-02013 是一种双向车载充电器参考设计。该设计由交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级以及 CLLLC 直流/直流功率级组成，所有这些功率级均通过单个 C2000 实时控制微控制器 (MCU) 进行控制，同时利用 TI 氮化镓 (GaN) 电源模块进行控制。

此电源拓扑支持双向功率流（PFC 和并网逆变器）且使用 GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。

PMP40988 变频、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱 PFC 参考设计

该参考设计为高密度高效 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。设计采用两相图腾柱 PFC，能在可变频率和零电压开关 (ZVS) 条件下运行。控制器采用新拓扑和改进型三角电流模式 (iTCM)，能够减小尺寸并提高效率。设计方案为在 TMS320F280049C 微控制器内使用高性能处理内核，可在广泛的工作范围内保证效率。PFC 的运行频率范围为 100kHz 至 800kHz。峰值系统效率为 99%，该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下实现。

PMP23126 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

PMP22650 基于 GaN 的 6.6kW 双向车载充电器参考设计

PMP22650 参考设计是一款 6.6kW 的双向车载充电器。该设计采用两相图腾柱 PFC 和带有同步整流功能的全桥 CLLLC 转换器。CLLLC 采用频率和相位调制在所需的调节范围内调节输出。该设计采用 TMS320F28388D 微控制器内的单个处理内核来控制 PFC 和 CLLLC。使用配有 Rogowski 线圈电流传感器的相同微控制器来实现同步整流。通过高速 GaN 开关 (LMG3522) 实现高密度。PFC 的工作频率为 120kHz，而 CLLLC 在 200kHz 至 800kHz 的可变频率范围内运行。峰值系统效率为 96.5%，该数值在 3.8kW/L (...)