The AUP family is TI’s premier solution to the industry’s low power needs in battery-powered portable applications. This family assures a very low static and dynamic power consumption across the entire V_CC range of 0.8 V to 3.6 V, resulting in an increased battery life. This product also maintains excellent signal integrity (see AUP – The Lowest-Power Family and Excellent Signal Integrity).

This device functions as an independent gate with Schmitt-trigger inputs, which allows for slow input transition and better switching-noise immunity at the input.

This device is fully specified for partial-power-down applications using I_off. The I_off circuitry disables the outputs when the device is powered down. This inhibits current backflow into the device which prevents damage to the device.

• Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
• ESD Performance Tested Per JESD 22
  • 2000-V Human-Body Model (A114-B, Class II)
  • 1000-V Charged-Device Model (C101)
• Low Static-Power Consumption (ICC = 0.9 A Maximum)
• Low Dynamic-Power Consumption (Cpd = 4.4 pF Typical at 3.3 V)
• Low Input Capacitance (CI = 1.5 pF Typical)
• Low Noise Overshoot and Undershoot <10% of VCC
• Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
• Includes Schmitt-Trigger Inputs
• Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V
• Optimized for 3.3-V Operation
• 3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode Signal Operation
• tpd = 4.9 ns Maximum at 3.3 V

• Technology Family
• AUP
• Supply voltage (Min) (V)
• 0.8
• Supply voltage (Max) (V)
• 3.6
• Number of channels (#)
• 1
• IOL (Max) (mA)
• 4
• IOH (Max) (mA)
• -4
• ICC (Max) (uA)
• 0.9
• Input type
• Schmitt-Trigger
• Output type
• Push-Pull
• Features
• Balanced outputs, Very high speed (tpd 5-10ns), Partial power down (Ioff), Over-voltage tolerant inputs
• Rating
• Catalog

SN74AUP1G14的完整型号有：SN74AUP1G14DBVR、SN74AUP1G14DBVT、SN74AUP1G14DCKR、SN74AUP1G14DCKT、SN74AUP1G14DPWR、SN74AUP1G14DRLR、SN74AUP1G14DRYR、SN74AUP1G14DSFR、SN74AUP1G14YFPR，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

SN74AUP1G14DBVR，工作温度：-40 to 85，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DBVR的批量USD价格：.106（1000+）

SN74AUP1G14DBVT，工作温度：-40 to 85，封装：SOT-23 (DBV)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DBVT的批量USD价格：.306（1000+）

SN74AUP1G14DCKR，工作温度：-40 to 85，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DCKR的批量USD价格：.106（1000+）

SN74AUP1G14DCKT，工作温度：-40 to 85，封装：SC70 (DCK)-5，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DCKT的批量USD价格：.306（1000+）

SN74AUP1G14DPWR，工作温度：-40 to 85，封装：X2SON (DPW)-5，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DPWR的批量USD价格：.117（1000+）

SN74AUP1G14DRLR，工作温度：-40 to 85，封装：SOT-5X3 (DRL)-5，包装数量MPQ：4000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网SN74AUP1G14DRLR的批量USD价格：.092（1000+）

SN74AUP1G14DRYR，工作温度：-40 to 85，封装：SON (DRY)-6，包装数量MPQ：5000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网SN74AUP1G14DRYR的批量USD价格：.117（1000+）

SN74AUP1G14DSFR，工作温度：-40 to 85，封装：SON (DSF)-6，包装数量MPQ：5000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAUAG，TI官网SN74AUP1G14DSFR的批量USD价格：.127（1000+）

SN74AUP1G14YFPR，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YFP)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网SN74AUP1G14YFPR的批量USD价格：.166（1000+）

5-8-LOGIC-EVM 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑 EVM

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。

HSPICE Model of SN74AUP1G14

采用 MOSFET 参考设计的自供电交流固态继电器是单个继电器的替代方法，可实现高效的电源管理，适用于在恒温器应用中以低功耗方式替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计通过 24V 交流电力线实现自供电，可省去恒温器电池的其他功耗。MOSFET 可快速切换，从而在不影响负载的情况下实现自供电。