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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:逻辑 - 栅极和逆变器,供应商器件封装:14-SOIC
  • 技术参数:IC GATE NAND 1CH 8-INP 14SOIC
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74ACT11030DE4 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:74ACT11030DE4
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:IC GATE NAND 1CH 8-INP 14SOIC
  • 产品系列:逻辑 - 栅极和逆变器
  • 包装:管件
  • 系列:74ACT
  • 零件状态:有源
  • 逻辑类型:与非门
  • 电路数:1
  • 输入数:8
  • 特性:-
  • 电压-供电:4.5V ~ 5.5V
  • 电流-静态(最大值):4A
  • 电流-输出高、低:24mA,24mA
  • 逻辑电平-低:0.8V
  • 逻辑电平-高:2V
  • 不同V、最大CL时最大传播延迟:8.1ns @ 5V,50pF
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:14-SOIC
  • 74ACT11030DE4优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM5025A:具有 P 或 N 沟道钳位 FET 和 0.5V CS 阈值的 90V 有源钳位电压模式 PWM 控制器
TLV2772A-EP:Enhanced product, dual, 5.5-V, 5.1-MHz, 1.6-mV offset, high slew rate (10.5-V/μs) op amp
CSD87588N:采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET
SN54HCT373:具有三态输出的八路 D 类透明锁存器
BQ21062:具有 10nA 运输模式、电源路径、稳定系统电压和 LDO 的 500mA 单节电池线性充电器
TPS63012:具有 2A 开关的高效率、单电感器、降压升压转换器
CD74HC166:高速 CMOS 逻辑 8 位并行输入/串行输出移位寄存器
CSD18535KTT:采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
ADS7253:12 位、1MSPS、双路、同步采样差分单端/伪差分 SAR ADC
TLV1117LV:1A 低压降稳压器
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