CSD19537Q3：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

BQ25100B：具有 4.284V 充电电压和可编程预充电功能的独立型单节电池 250mA 线性电池充电器

REF6250：具有集成缓冲器和使能引脚的 5V、3ppm/°C 高精度电压基准

THS4567：具有 VICM 和 VOCM 控制的 220MHz CMOS 输入全差分放大器

SN54AHCT02：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 或非门

CD54HC74：具有设置和复位的高速 CMOS 逻辑双路正边沿触发式 D 触发器

TLV5633：具有可编程内部基准电压、稳定时间及功耗、8 位微控制器兼容接口的 12 位并行电压输出 DAC

LM321：Single, 30-V, 1-MHz operational amplifier

DRV5013：高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

LP5866：具有 8 位模拟和 8/16 位 PWM 调光的 6 × 18 LED 矩阵驱动器