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  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
  • 技术参数:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
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BQ4010YMA-70N 技术参数详情:
  • 型号:BQ4010YMA-70N
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
  • 供应商器件封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
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