
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
- 技术参数:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
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BQ4010YMA-70N 技术参数详情:
- 型号:BQ4010YMA-70N
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:64Kb
- 存储器组织:8K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
- 供应商器件封装:28-DIP 模块(18.42x37.72)
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