
- 制造厂商:TI
- 类别封装:存储器,产品封装:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
- 技术参数:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
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BQ4011MA-100 技术参数详情:
- 制造商产品型号:BQ4011MA-100
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
- 产品系列:存储器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:100ns
- 访问时间:100ns
- 电压-供电:4.75V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:通孔
- 产品封装:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
- BQ4011MA-100优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM5168-Q1:具有 Fly-Buck 能力的汽车类 6V 至 120V 宽输入电压、300mA 直流/直流转换器
74ACT11008:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门
SN74LV165A:并联负载 8 位移位寄存器
TLV320AIC3105:具有 6 个输入、6 个输出、耳机放大器和增强数字效果的低功耗立体声编解码器
SN74AHCT367:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 6 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
SN74AHCT126-EP:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的增强型产品 4 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
LMH0356:具有 4:1 输入多路复用器和 FR4 均衡器的 3G HD/SD SDI 时钟恢复器
TRPGR30ATGB:32mm LF 玻璃封装感应器 RO
TLK1501:0.6Gbps 至 1.5Gbps 收发器
BQ2002E:具有负 dV、PVT 和 tMTO 设置 1 的镍镉电池/镍氢电池充电控制器

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