
- 制造厂商:TI
- 类别封装:存储器,产品封装:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
- 技术参数:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
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BQ4011MA-150 技术参数详情:
- 制造商产品型号:BQ4011MA-150
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
- 产品系列:存储器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:256Kb(32K x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:150ns
- 访问时间:150ns
- 电压-供电:4.75V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:通孔
- 产品封装:28-DIP 模块(0.61,15.49mm)
- BQ4011MA-150优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
THS7327:具有 I2C 控制、可选滤波器、监控器直通、2:1 多路复用器的 3 通道 RGBHV 视频缓冲器
MSP430F413:具有 8KB 闪存、256B SRAM、计时器、比较器和 96 段 LCD 的 8MHz MCU
REF3430:3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准
INA848:具有固定增益 2000 的超低噪声、高带宽仪表放大器
CSD23280F3:采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TLV4379:Quad, 5.5-V, 90-kHz, low quiescent current (4-μA), RRIO operational amplifier
TLV2444:高级 LinCMOS 轨到轨输出、宽输入电压、四路运算放大器
CSD88539ND:采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TLV2472A:Dual, 6-V, 2.8-MHz, 1.6-mV offset, RRIO operational amplifier
DS92LX2122:10 - 50MHz 直流平衡信道链路 III 双向控制解串器

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