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BZX84C18VDBZR 图片
  • 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
  • 技术参数:18V ZENER DIODE IN SOT-23 PACKAG
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BZX84C18VDBZR 技术参数详情:
  • 型号:BZX84C18VDBZR
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:18V ZENER DIODE IN SOT-23 PACKAG
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:430 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):45 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 nA @ 12.6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • BZX84C18VDBZR优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TUSB320:USB Type-C 配置通道逻辑和端口控制
DRV5057:具有 PWM 输出的线性霍尔效应传感器
SN74AVC24T245:具有可配置电压转换和三态输出的 24 位双电源总线收发器
SN74ALS86:4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极 XOR(异或)门
UC28023:经济型单端高速 PWM 控制器
CSD96497Q5MC:采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CDCLVC1104:低抖动 1:4 LVCMOS 扇出时钟缓冲器
SN74HCS264:8 位并行输出串行移位寄存器
TMS320DM6437:数字媒体处理器
MSP430F5658:具有 384KB 闪存、32KB SRAM、12 位 ADC、12 位 DAC、比较器、DMA 和 USB 的 20MHz MCU
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