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- 制造厂商：TI
- 类别封装：逻辑 - 栅极和逆变器，供应商器件封装：14-SOIC
- 技术参数：IC GATE NAND 1CH 8-INP 14SOIC
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CD74HC30M96 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CD74HC30M96
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：IC GATE NAND 1CH 8-INP 14SOIC
- 产品系列：逻辑 - 栅极和逆变器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：74HC
- 零件状态：有源
- 逻辑类型：与非门
- 电路数：1
- 输入数：8
- 特性：-
- 电压-供电：2V ~ 6V
- 电流-静态（最大值）：2A
- 电流-输出高、低：5.2mA，5.2mA
- 逻辑电平-低：0.5V ~ 1.8V
- 逻辑电平-高：1.5V ~ 4.2V
- 不同V、最大CL时最大传播延迟：22ns @ 6V，50pF
- 工作温度：-55°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：14-SOIC
- CD74HC30M96优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
SN74HC166A-Q1：汽车类 8 位并联负载移位寄存器
CD4011B：4 通道、2 输入、3V 至 18V 与非门
SN65HVD62：AISG 2.0 开关键控同轴调制解调器收发器
TM4C1292NCZAD：具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+MII、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
OPA2863：双路低功耗 110MHz 12V 轨至轨输入和输出 (RRIO) 电压反馈放大器
AMC60304：具有 200mA IDAC 和多通道 ADC 的四通道 EML 监控器和控制器
CSD17381F4：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
CSD87334Q3D：采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
TPS79318-EP：超低噪声、高 PSRR、快速射频、200mA 的低压降线性稳压器（增强型产品）
TPS778：具有电源正常指示和使能功能的 750mA、10V、低压降稳压器
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