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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DSBGA（1x1）
- 技术参数：MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
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CSD13302W 技术参数详情：
- 型号:CSD13302W
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:4-DSBGA（1x1）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.1m @ 1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:862 pF @ 6 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DSBGA（1x1）
- 封装/外壳:4-UFBGA，DSBGA
- CSD13302W优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
ADS8920B：16-bit, 1-MSPS, one-channel SAR ADC with internal VREF buffer, internal LDO and enhanced SPI
TPS62420：具有 1 线接口、采用 QFN 封装的双路可调节 600mA 和 1000mA、2.25MHz 降压转换器
TLV4379：Quad, 5.5-V, 90-kHz, low quiescent current (4-μA), RRIO operational amplifier
TPS3897：具有高电平有效和开漏输出的单通道、超小型、可调节监控器
CD54HCT02：军用 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 或非门
BQ27510：具有集成 LDO 的系统侧 Impedance Track 电量监测计
MSP430F435：具有 16KB 闪存、512B SRAM、12 位 ADC、比较器、SPI/UART 和 160 段 LCD 的 8MHz MCU
SN74LV4053A-Q1：汽车类 5V、2:1 (SPDT)、3 通道模拟多路复用器
LMZ31707：具有均流功能、采用 10x10x4.3mm QFN 封装的 2.95V 至 17V、7A 降压电源模块
TPS2066-Q1：高电平有效的汽车类双通道、1A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关
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