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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：4-DSBGA
- 技术参数：MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
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CSD13302W 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD13302W
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17.1m @ 1A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.8nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：862pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：4-DSBGA
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TAS2555：具有集成扬声器保护、高级 EQ 和 8.5V H 类升压的 5.7W 数字输入智能音频放大器
SN54LS27：军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 双极或非门
LM5041：具有断续模式的级联 PWM 控制器
MSP430F6635：具有 256KB 闪存、16KB SRAM、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、160 段 LCD 和 USB 的 20MHz MCU
LM3401：用于高功率 LED 驱动器的迟滞 PFET 控制器
OPT3002：光数字传感器
ADS62P43：双通道、14 位、80MSPS 模数转换器 (ADC)
CSD25501F3：采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS61087-Q1：符合 AEC-Q100 标准的具有强制 PWM 模式的 18.5V、3.2A、650kHz、1.2MHz 升压直流/直流转换器
CD54HCT11：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的军用 3 通道、3 输入、4.5V 至 5.5V 与门
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