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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-DSBGA
- 技术参数：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
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CSD13303W1015 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD13303W1015
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20mOhm @ 1.5A、 4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.65W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-DSBGA
- CSD13303W1015优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LPV321-N：Single, 5-V, 152-kHz, low quiescent current (9-μA), RRO operational amplifier
TPS73630-EP：具有反向电流保护功能的无电容 NMOS 400mA 低压降稳压器（增强型产品）
TM4C1292NCPDT：具有 120MHZ 频率、1MB 闪存、256KB RAM、USB 和 ENET MAC+MII、基于 Arm Cortex-M4F 的 32 位 MCU
LM34925：适用于隔离式直流/直流转换器的 7.5V 至 100V 宽输入电压、100mA 集成二次侧偏置稳压器
CSD87333Q3D：采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
DAC714：具有串行数据接口的 16 位数模转换器
TLV7031：具有推挽开路输出的毫微功耗、小型比较器
SN65LVELT23：3.3V 双路差动 LVPECL 缓冲器至 LVTTL 转换器
UCC28600：8 引脚准谐振绿色环保模式反激式控制器
SN74LV393A-Q1：汽车类双路 4 位同步二进制计数器
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