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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 技术参数：MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
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CSD13383F4T 技术参数详情：
- 型号:CSD13383F4T
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:291 pF @ 6 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:3-PICOSTAR (1x0.60)
- 封装/外壳:3-XFDFN
- CSD13383F4T优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
BQ24316：具有 30V（最大值）Vin 和 6.8V OVP 的充电器前端保护 IC
TLE2022A-Q1：汽车类 Excalibur 高速、低功耗、双通道、精密运算放大器
TPD8S300：USB Type-C 端口保护器：VBUS 短路过压和 8 通道 ESD 保护
TPD4E1B06：采用 SOT 和 SC70 封装且具有 0.5nA 最大泄漏电流的四路 0.7pF、±5.5V、±12kV ESD 保护二极管
TPS62086：采用 2x2 QFN 封装、应用 DCS-Control 技术、具有间断模式短路保护功能的 3A 降压转换器
LM2597：SIMPLE SWITCHER 电源转换器 150 kHz 0.5A 降压电压稳压器
MSP430F4793：具有 3 个 Σ-Δ ADC、160 段 LCD、60KB 闪存和 2.5KB RAM 的 16MHz 单相位计量 MCU
UC3844A：具有 16V/10V UVLO 50% 占空比、温度范围为 0°C 至 70°C 的 30V、1A、500KHz 电流模式 PWM 控制器
ADS7887：2.35V-5.25V 10 位 1.25MSPS 串行 ADC
SN74ALS569A：具有三态输出的同步 4 位加/减二进制计数器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理