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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
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CSD16323Q3 技术参数详情：
- 型号:CSD16323Q3
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 24A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.4 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+10V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 12.5 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- CSD16323Q3优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
INA2290：双通道、2.7V 至 120V、1.1MHz 超精密电流感应放大器
SN65LVDS20：4Gbps PECL 至 LVDS 转换器
MAX3232-EP：具有 +/-15kV ESD 保护的增强性产品 3V 至 5.5V 250kbps RS-232 线路驱动器/接收器
LM63625-Q1：3.5V 至 36V、2.5A 降压转换器（具有扩展频谱）
SN54LS673：16 位移位寄存器
PTH04040W：60A 3.3/5V 输入非隔离宽输出调节电源模块
LMK60E2-156M：156.25MHz、LVPECL、±50ppm、高性能低抖动振荡器
UC1527A：稳压脉宽调制器
SN74LVC1G17：具有施密特触发输入的 1.65V 至 5.5V 单路缓冲器
TPS3619：适用于 RAM 保持模式的电池备份监控器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理