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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
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CSD16323Q3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16323Q3
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 24A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- CSD16323Q3优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS40170-EP：增强型产品 4.5 V 至 60 V 宽输入同步 PWM 降压控制器
LMV331：单路通用低电压比较器
DP83867IR：具有工业级温度范围的耐用型千兆位以太网 PHY 收发器
SN74HCS02：具有施密特触发输入的 4 通道、2 输入、2V 至 6V 低功耗或非门
PCM1780：106dB SNR 立体声 DAC（软件控制）
OMAP3503：Sitara 处理器：Arm Cortex-A8、LPDDR
UCC3803：具有 4.1V/3.6V UVLO 和 100% 占空比、工作温度范围为 0°C 至 70°C 的 12V、1A 低功耗 BICMOS 1MHz 电流模式 PWM
TMS320F2812：具有 150MHz 频率、256KB 闪存、EMIF 的 C2000 32 位 MCU
SN74HCS596-Q1：汽车类 8 位串行输入/并行输出移位寄存器
TPS92550：450mA 14W 恒流降压型 LED 驱动器微型模块
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理