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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
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CSD16325Q5C 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16325Q5C
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 30A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4000pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD16325Q5C优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
DRV8702-Q1：汽车类 47V、H 桥智能栅极驱动器
TPS1641：具有输出功率限制功能的 2.7V 至 40V、152mΩ、1.8A 电子保险丝
TPS2378：具有 AUX 控制功能的 IEEE 802.3at PoE 高功率 PD 接口
SN74LVT125：具有总线保持、TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 4 通道、2.7V 至 3.6V 缓冲器
MSP430F2252：具有 16KB 闪存、512B SRAM、支持触觉、电容式触控、10 位 ADC 和 UART/SPI/I2C 的 16MHz MCU
TLV4062：具有集成基准的双路比较器（推挽式）
TPS7H5003-SP：具有同步整流功能的耐辐射 QMLV、2MHz PWM 控制器
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BQ294592：用于 2 到 3 节锂离子电池的过压保护器件，具有 4.30v OVP
DS96F175MQML-SP：EIA-485/EIA-422 四路差分接收器
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