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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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CSD16342Q5A 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16342Q5A
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.1nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
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MSP430G2332-EP：增强型混合信号微控制器
MSP430G2230：具有 2KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
MSP430F1481：具有 48KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 SPI/UART 的 8MHz MCU
BQ294592：用于 2 到 3 节锂离子电池的过压保护器件，具有 4.30v OVP
TLV3492：双路毫微功耗推挽输出比较器
BQ24014：采用 QFN-11 封装、具有温度感应和充电使能功能的单节 1A 线性锂离子电池充电器
SN74BCT8245A：具有八路总线收发器的 IEEE 标准 1149.1 (JTAG) 边界扫描测试设备
SN74LV165A-Q1：Automotive Parallel-Load 8-Bit Shift Registers
LM124M：Military-grade, quad, 30-V, 1.2-MHz operational amplifier with -55°C to 125°C operation
CD4516B-MIL：CMOS 可预置二进制加/减计数器
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