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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
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CSD16406Q3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16406Q3
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.1nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+16V，-12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 12.5V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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ADS1216：具有基准电压、PGA、IDAC 和 RAM 的 24 位 8 通道 Δ-Σ ADC
SN74AUP1G07：具有漏极开路输出的单路 0.8V 至 3.6V 低功耗缓冲器
SN75C198：四路低功耗线路驱动器
SN74ACT08：具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门
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MSP430FG4619：具有 120KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、双通道 DAC、DMA、3 个运算放大器和 160 段 LCD 的 8MHz MCU
BQ24103A：具有集成式 FET 的独立 1 至 2 节 2A 同步降压电池充电器
TL971：Single, 12-V, 12-MHz operational amplifier
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