
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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CSD16556Q5B 技术参数详情:
- 型号:CSD16556Q5B
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.07 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):47 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6180 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),191W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- CSD16556Q5B优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM837:4 通道、25MHz、低噪声音频运算放大器
BQ25122:具有电源路径、集成 LDO 和降压转换器 1.2V 默认输出的 300mA 线性电池充电器
BQ500101:NexFET 功率级
ONET4211LD:155Mbps 至 4.25Gbps 激光驱动器
LT1009:2.5V 集成参考电路
DRA782:适用于音频放大器且具有 2 个 500MHz C66x DSP 和 2 个双核 Arm Cortex-M4 的 SoC 处理器
CY74FCT16827T:具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 20 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
PCM1755:106dB SNR 立体声音频数模转换器 (DAC)(软件控制)
OPA2387:超高精度、零温漂、低输入偏置电流运算放大器
CY74FCT374T:具有三态输出的八路 D 类寄存器

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