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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
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CSD16570Q5B 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD16570Q5B
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.59 毫欧 @ 50A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：250nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14000pF @ 12V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），195W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD16570Q5B优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
INA125-DIE：具有精密电压参考的仪表放大器
UCC3806：具有 0°C 至 70°C 工作温度范围的 15V、0.5A 低功耗 BICMOS 1MHz 双输出电流模式 PWM 控制器
MSP430FW423：适用于气流和水流计量应用的旋转感应 MCU，具有扫描接口、8KB 闪存、256B SRAM
SN54LS299：8 位通用移位/存储寄存器
INA199-Q1：AEC-Q100、26V、双向电流感应放大器
ADS7869：12 通道 7 路采样模拟电机控制前端，具有 3 个 1MSPS 12 位 ADC
SN74ALVC16835：具有三态输出的 18 位通用总线驱动器
MSP430F5503：具有 32KB 闪存、4KB SRAM、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、USB、计时器和硬件乘法器的 25MHz MCU
TMS320DM355：数字媒体片上系统 (DMSoC)
TIOL1115：具有集成浪涌保护功能和 5V LDO 输出的 IO-Link 器件收发器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理