
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
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CSD17306Q5A 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD17306Q5A
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):3V,8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.7 毫欧 @ 22A,8V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15.3nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):+10V,-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2170pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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THS3095:具有断电功能的单路高压低失真电流反馈运算放大器
TSB43AA82A-EP:增强型产品 IEEE 1394 集成 PHY 和链路层控制器
ADS825:10 位、40MSPS 模数转换器 (ADC)
TS3DV642-Q1:6 Gbps 12-Channel differential 1-to-2 and 2-to-1 mux
ISO7421E:双通道、1/1、50Mbps 数字隔离器
TMS320F28377D:具有 800MIPS、2xCPU、2xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000 32 位 MCU
CSD18510KTT:采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS22915:具有输出放电功能的 5.5V、2A、39mΩ 负载开关
ADC081S051:配备 SPI 的 8 位、500kSPS、单通道 SAR ADC
DRA77P:适用于数字驾驶舱应用并具有扩展外设和 ISP 的高性能多核 SoC

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