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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
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CSD17312Q5 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17312Q5
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：38A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 35A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5240pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
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CDCU877：适用于 DDR2 SDRAM 应用的 1.8V 锁相环路时钟驱动器
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SN74ALVTH16373：具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位透明 D 类锁存器
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