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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-WSON（2x2）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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CSD17313Q2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17313Q2
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：2.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-WSON（2x2）
- CSD17313Q2优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM140K：1A 固定输出线性稳压器/LDO
TMS570LS1114：16/32 位 RISC 闪存 MCU，Cortex R4F，通过 Q100 车规认证
LMZ31530：采用 15x16x5.8mm QFN 封装的 3V 至 14.5V、30A 降压电源模块
TPS65161：4 通道 LCD 偏置（2.8A 最小升压电流限制高达 19V，2.3A 最小降压电流限制）
TPS74401-EP：具有 0.8V 至 3.6V 输出、快速瞬态响应和可编程软启动的 3A LDO 稳压器（增强型产品）
CD4515B：CMOS 4 位锁存器/4 至 16 线解码器
REF6145：具有集成缓冲器和使能引脚的 4.5V、8ppm/°C 高精度电压基准
TLC3704-Q1：汽车类四路微功耗 LinCMOS 电压比较器
TLV2262A：双路高级 LinCMOS、0.2mA、轨到轨运算放大器
PGA2311：+/-5V 立体声音频音量控制
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