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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:6-WSON（2x2）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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CSD17313Q2T 技术参数详情：
- 型号:CSD17313Q2T
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:6-WSON（2x2）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+10V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），17W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:6-WSON（2x2）
- 封装/外壳:6-WDFN 焊盘
- CSD17313Q2T优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
TMS320F28375D：具有 800MIPS、2xCPU、2xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000 32 位 MCU
THS6212：高速差分宽带 PLC/HPLC 线路驱动器放大器
TLV2624：Quad, 5.5-V, 11-MHz, RRO operational amplifier
TMUX1133：3pA 导通状态泄漏电流、低泄漏电流、2:1 (SPDT)、3 通道精密开关
BQ2057T：具有 AutoCompTM 的 8.2V 低压降线性 2 节锂离子电池充电控制器
TLV2761：Single, 3.6-V, 500-kHz, RRIO operational amplifier
DAC63002：具有 IC、SPI 和 PWM 的超低功耗双通道 12 位智能 DAC
ISO121：±10V 输入、精密电压检测隔离式放大器
TLC2252AM：轨到轨毫微功耗精密高级 LinCMOS 双路运算放大器
TLV2462A-Q1：Automotive-grade, dual, 6-V, 6.4-MHz, 1.5-mV offset, RRIO operational amplifier
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