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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：6-WSON（2x2）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
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CSD17313Q2T 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17313Q2T
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 4A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：2.7nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：+10V，-8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），17W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：6-WSON（2x2）
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