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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
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CSD17501Q5A 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17501Q5A
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 25A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2630pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
- CSD17501Q5A优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CD4029B：CMOS 可预置加/减计数器
UC1705-SP：具有 40V VDD 和输出锁存器的航天级 QMLV 1.5A/1.5A 单通道栅极驱动器
SN74HCS00-Q1：具有施密特触发输入的汽车类 4 通道、2 输入、2V 至 6V 低功耗与非门
SN74ABT16373A：具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器
BQ25570：具有升压充电器和毫微功耗降压转换器的超低功耗能量收集器电源管理 IC
DS90UB913A-Q1：25MHz 至 100MHz、10 位和 12 位 FPD-Link III 串行器
AFE58JD18：功耗为 140mW/通道、噪声为 0.75nV/√Hz 的 16 通道超声波模拟前端
UC3611M：四路肖特基二极管阵列
CSD17507Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SM320F28335-HT：具有 150MIPS、FPU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000 高温 32 位 MCU
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理