
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-VSONP(3x3.3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
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CSD17577Q3A 技术参数详情:
- 型号:CSD17577Q3A
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP(3x3.3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.8 毫欧 @ 16A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2310 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),53W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP(3x3.3)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- CSD17577Q3A优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
UC2846M:电流模式 PWM 控制器
SN74HCS157-Q1:具有施密特触发输入的四路 2 线至 1 线多路复用器
TLV3501A-Q1:具有关断功能的汽车级高速单路轨至轨比较器
TLV3502:4.5ns 轨到轨比较器
CD74HC151:高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器
TMP139:具有 0.5°C 精度的 JEDEC DDR5 温度传感器
TPS722:具有使能功能的 50mA、低压降稳压器
TPS548A20:1.5V 至 20V、15A 同步 SWIFT 降压转换器
TPS65011:采用 QFN-48 封装的多通道 1 节锂离子电池 PMIC:USB/AC 充电器、2 个 DC/DC、2 个 LDO 以及 I2C 接口
BQ25100B:具有 4.284V 充电电压和可编程预充电功能的独立型单节电池 250mA 线性电池充电器

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