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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
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CSD17579Q5AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD17579Q5AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.1nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1030pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），36W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
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DAC0808：8 位数模转换器
LM48560：具有 I2C 控制和集成式 30V H 类升压功能的单声道、模拟输入陶瓷扬声器驱动器
SN54LVTH162245：具有三态输出的 3.3V ABT 16 位总线收发器
TLC2274-HT：高级 LinCMOS 轨到轨运算放大器
SN75188：四路线路驱动器
SN74LVC2G04-EP：增强型产品 2 通道、1.65V 至 5.5V 反相器
TLV3701-Q1：汽车类单通道毫微功耗推挽式比较器
ISO7741-Q1：EMC 性能优异的汽车类四通道、3/1、增强型数字隔离器
TPS3838：具有手动复位功能的低电平有效、漏极开路、毫微功耗监控器
CSD18509Q5B：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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