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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
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CSD18503Q5AT 技术参数详情：
- 型号:CSD18503Q5AT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 22A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2640 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），120W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- CSD18503Q5AT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CSD23280F3：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
TPS2034：高电平有效的 2A 负载、2.7-5.5V、33mΩ USB 电源开关
CSD13383F4：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
DS25MB200：具有发送预加重和接收均衡功能的双路 2.5Gbps 2:1/1:2 CML 多路复用器/缓冲器
TS3DS26227：具有输入逻辑转换功能的 3.3V、2:1 (SPDT)、2 通道差分信号开关
SN74AUC14：具有施密特触发输入的 6 通道、0.8V 至 2.7V 高速反相器
OPA4705：Quad, 12-V, 1-MHz operational amplifier
SN74LV4T125：具有三态输出 CMOS 逻辑电平转换器的单电源四路缓冲门
CD74HCT161：具有异步复位的高速 CMOS 逻辑 4 位二进制计数器
CSD17310Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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