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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
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CSD18510Q5BT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD18510Q5BT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：300A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.96 毫欧 @ 32A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：153nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11400pF @ 20V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- CSD18510Q5BT优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
LM25576：4.5V 至 42V、3A 降压直流/直流开关稳压器
LM25149-Q1：具有超低 IQ 和集成有源 EMI 滤波器的 42V 汽车类同步降压直流/直流控制器
SN74AUP1G34：单路 0.8V 至 3.6V 低功耗缓冲器
TLC59210：具有锁存器的 8 位 DMOS 灌流驱动器
CSD16404Q5A：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
CD40109B-MIL：CMOS 四路低向高电压位转换器（20V 额定电压）
CDCL6010：1.8V、11 输出时钟倍频器、分频器、抖动消除器和缓冲器
SN74LV1T126：具有三态输出的单电源单路缓冲门（高电平有效）
DAC5670-SP：QMLV、100krad、陶瓷、14 位、单通道、2.4GSPS DAC
DS160UP822：具有四个 2x2 交叉点多路复用器的 UPI 2.0 16Gbps 8 通道线性转接驱动器
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