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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
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CSD18511KCS 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD18511KCS
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：194A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 100A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5940pF @ 20V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：188W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220-3
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TPS62810-Q1：采用 2mm x 3mm 可湿性侧面 QFN 封装的汽车类 2.75V 至 6V、4A 降压转换器
TPS628510：采用 SOT583 封装的 2.7V 至 6V、0.5A 固定频率降压转换器
TPS3305：具有看门狗计时器的双处理器电压监控器
DRV5056：具有模拟输出的比例式单极线性霍尔效应传感器
CC2510：2.4GHz 无线电收发器、8051 MCU 和 16KB 或 32KB 存储器
CD4076B-MIL：具有时钟和三态输出的 CMOS 4 位 D 类寄存器
TPS62860：具有 I2C/VSEL 接口的 1.8V 至 5.5V 输入、微型、0.6A 超低 Iq 降压转换器
SN65HVD12-EP：增强型产品 3.3V RS-485 收发器
CD4516B-MIL：CMOS 可预置二进制加/减计数器
LM4674A：免滤波 2.5 立体声 D 类音频功率放大器
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