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  • 制造厂商:TI
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DDPAK/TO-263-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
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CSD18511KTTT 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:CSD18511KTTT
  • 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:NexFET
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):110A(Ta),194A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):64nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):188W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DDPAK/TO-263-3
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SN55LBC172:四路低功耗差分线路驱动器
MSP430F248:具有 48KB 闪存、4KB SRAM、12 位 ADC、比较器、I2C/SPI/UART 和硬件乘法器的 16MHz MCU
OPA355:具有关断状态的 2.5V、200MHz、GBW CMOS 单路运算放大器
MAX232:具有 +/-9V 输出和 +/-2kV ESD 保护的 5V 双通道 120kbps RS-232 线路驱动器/接收器
TIBPAL16R4-30M:低功耗高性能 Impact PAL 电路
CC430F6127:具有 32KB 闪存、4KB SRAM、低于 1GHz 无线电、AES-128、I2C/SPI/UART 和 96 段 LCD 的 20MHz MCU
LMK61E07:具有内部 EEPROM 的多信号格式超低抖动可编程振荡器
CSD95375Q4M:25A 同步降压 NexFET 功率级
CDCE6214-Q1:支持第 1-5 代 PCIe 且具有 2 个输入、4 个输出和内部 EEPROM 的超低功耗时钟发生器
TB5R1:具有 1.1V 至 +7.1V 共模范围的 5V、4 路 PECL 接收器
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