产品参考图片
- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
- 丰富的TI公司产品，TI芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
CSD18511Q5A 技术参数详情：
- 型号:CSD18511Q5A
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:8-VSONP（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):159A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 24A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.45V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- CSD18511Q5A优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
CSD22206W：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
SN74ACT2227：64 x 1 x 2 双独立同步 FIFO 存储器
TPA5051：具有 I2C 控制的 4 通道数字音频延迟处理器
BQ25970：用于并联充电应用并支持外部过压保护的 I2C 单节 8A 开关电容器电池充电器
TPS2064C-2：高电平有效且具有反向阻断功能的双通道、1.5A 负载、4.5-5.5V、70mΩ USB 电源开关
LM5576-Q1：75V、3A 降压开关稳压器
SN54AS832B：军用 6 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 双极或门
NS16C2752：具有 64 字节 FIFO、数据速率高达 5 兆位/秒的双路 UART
SN54HCU04：军用 6 通道、2V 至 6V 反相器
TL054：Quad, 30-V, 3.3-MHz, high slew rate (20-V/s), 1.5-mV offset voltage, In to V+, JFET-input op amp
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理