
- 制造厂商:TI
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-VSONP(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
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CSD18513Q5AT 技术参数详情:
- 制造商产品型号:CSD18513Q5AT
- 制造商:TI公司(德州仪器,Texas Instruments)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:NexFET
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):124A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 19A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):61nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4280pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):96W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-VSONP(5x6)
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SN74ALVC08-EP:增强型产品 4 通道、2 输入、1.65V 至 3.6V 与门
TPS61024:采用 QFN-10 封装的 3.0V 输出、1.5A 开关、效率为 96% 的升压转换器,具有 LDO 降压模式
TPS25858-Q1:具有可编程电流限制和甩负荷功能的双路 3A USB Type-C 充电端口控制器
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