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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-VSONP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
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CSD18537NQ5AT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD18537NQ5AT
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：NexFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 12A、 10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1480pF @ 30V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-VSONP（5x6）
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TMDS171：3.4Gbps HDMI 1.4b TMDS 重定时器
TPSM84424：采用紧凑型 7.5x7.5mm 封装尺寸的 4.5V 至 17V 输入、0.6V 至 10V 输出、4A 电源模块
SN74AUC1G19：2 选 1 解码器/多路复用器
SN74AHC86：4 通道、2 输入、2V 至 5.5V XOR（异或）门
SN54LS541：具有三态输出的军用 8 通道、4.5V 至 5.5V 双极缓冲器
CC430F6127：具有 32KB 闪存、4KB SRAM、低于 1GHz 无线电、AES-128、I2C/SPI/UART 和 96 段 LCD 的 20MHz MCU
TLC2252M：轨到轨毫微功耗高级 LinCMOS 双路运算放大器
SN74AHC16374：具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器
DS26C31MQML：CMOS 四路三态差动线路驱动器
TPS54339E：具有 D-CAP2 模式和轻负载效率的 4.5V 至 23V 输入、3A 同步降压转换器
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