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- 制造厂商：TI（德州仪器，Texas Instruments）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
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CSD18542KCS 技术参数详情：
- 型号:CSD18542KCS
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5070 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- CSD18542KCS优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
UCC3801：具有 9.4V/7.4V UVLO 和 50% 占空比、工作温度范围为 0°C 至 70°C 的 12V、1A 低功耗 BICMOS 1MHz 电流模式 PWM
CD4014B：CMOS 8 级静态移位寄存器
LT1004-1.2：1.235V 微功耗集成精密基准电压
INA597：精密（200V 失调电压）、2MHz、88dB CMRR、低功耗、e-trim 差分放大器
TPS3840-Q1：具有手动复位和可编程复位延时时间的汽车类高输入电压监控器
BQ2954：开关模式锂离子电池充电控制器
BQ25703A：具有系统功率监控器和处理器的 I2C 1 至 4 节 NVDC 降压/升压电池充电控制器
TMS320F28333：具有 100MIPS、FPU、512KB 闪存、EMIF、12 位 ADC 的 C2000 32 位 MCU
ADS6124：12 位、105MSPS 模数转换器 (ADC)
LM25069：具有功率限制和电源正常指示功能的 2.9V 至 17V 热插拔控制器
丰富的可销售TI代理库存，专业的销售团队可随时响应您的紧急需求，目标成为有价值的TI代理