
- 制造厂商:TI(德州仪器,Texas Instruments)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(DDPAK-3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
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CSD18542KTT 技术参数详情:
- 型号:CSD18542KTT
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:TO-263(DDPAK-3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 100A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):57 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5070 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(DDPAK-3)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- CSD18542KTT优势代理货源,国内领先的TI芯片采购服务平台。
TPS60211:具有超低工作电流的稳压 3.3V、100mA 低纹波电荷泵
DRA788:适用于音频放大器且具有 2 个 1000MHz C66x DSP、1 个 EVE 和 2 个双核 Arm Cortex-M4 的 SoC 处理器
MSP430F2132-EP:增强型产品 16 位超低功耗微控制器、8KB 闪存、512B RAM、10 位 ADC、1 个 USCI
DRV10982-Q1:汽车类 12V 电池、无传感器正弦控制三相 BLDC 电机驱动器
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SN74AXC2T45-Q1:Automotive dual-bit dual-supply bus transceiver with configurable voltage translation
TAS5713:具有 EQ 和 DRC 的 25W 立体声、8V 至 26V 电源电压、数字输入、开环 D 类音频放大器
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